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薄膜晶体管的历史及现状
薄膜晶体管，简称TFT，是一种关键的半导体元件，其发展历程和应用在平板显示技术中占据重要地位。本文首先介绍了TFT的基础，以氢化非晶硅和多晶硅为主要材料的TFT，其发展历史中，不断优化的制造工艺和图案化技术，使得其性能得以不断提升。
年贝尔实验室的商用结型晶体管。图片由Jack Ward、晶体管博物馆和计算机历史提供 这一缺陷促使德州仪器（TI）的研究员Gordon Teal在1954年发明了第一个硅晶体管。Teal的硅晶体管具有与锗晶体管相同的工作原理，但它可以承受高温。硅晶体管是npn结构，通过生长结工艺制造。
薄膜晶体管的主要应用是TFT LCD，一种液晶显示器技术。 TFT晶体管被集成到面板中，减少像素间干扰并提高画面稳定性。1 从大约2004年开始，大多数经济实惠的彩色LCD屏幕均采用TFT技术。1 TFT面板也广泛应用于数字化X射线摄影技术，如乳线和癌症X射线检查。
近日，日本东京工业大学材料科学与工程系 Tsuyoshi Michinobu 和 Yang Wang 领导的研究团队，报告了一种具有世界领先的电子迁移率性能的单极n型晶体管。他们采用了一种新方法来提升之前被证明很难优化的半导体聚合物电子迁移率。
薄膜晶体管（Thin-Film Transistor，简称TFT）是一种特殊的场效应晶体管，它的构造方式是通过在基板上沉积多层薄膜来实现。这些薄膜包括半导体活性层、介电层和金属电极层，常见的基板材料如液晶显示器中的玻璃。TFT的核心是基板上的一层薄膜，作为其导电通道。
总之，薄膜场效应晶体管是液晶显示器上的重要驱动元件，其工作原理基于晶体管原理，由栅极、源极、漏极和氧化层组成。通过控制电流，薄膜晶体管能够实现对液晶的偏转角度控制，从而实现颜色的显示。薄膜晶体管的优点在于体积小、成本低、功耗低、响应速度快、稳定性好，是现代电子设备不可或缺的部分。
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什么是薄膜场效应晶体管?
薄膜场效应晶体管，简称为薄膜晶体管（TFT），是液晶显示器中的一种关键组件。它的工作原理基于晶体管的原理，但采用了特殊的薄膜材料。在液晶显示器上，每个液晶像素点都是由集成在其后的薄膜晶体管来驱动。薄膜晶体管的主要组成部分包括栅极、源极、漏极和氧化层。
薄膜场效应晶体管（TFT）是一种MOSFET，其工作原理基于MOSFET的基本概念。TFT的核心在于栅极施加正偏压，这促使p型半导体内的电子向半导体与绝缘层接触面附近移动，形成负电荷区域，即沟道。当在源极和漏极施加电压时，电流便可以在沟道中流动。
TFT（Thin Film Transistor）即薄膜场效应晶体管，属于有源矩阵液晶显示器中的一种。TFT液晶显示器上的每一液晶像素点都是用集成在其后的薄膜晶体管来驱动，TFT就是为每个像素配置一个半导体开关器件，通过点脉冲直接控制每个像素，而且由于每个节点都是相对独立，可以连续控制的。
TFT（Thin Film Transistor）即薄膜场效应晶体管，它可以“主动地”对屏幕上的各个独立的像素进行控制，这样可以大大提高反应时间。一般TFT的反应时间比较快，约80毫秒，而且可视角度大，一般可达到130度左右，主要运用在高端产品。从而可以做到高速度、高亮度、高对比度显示屏幕信息。
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